10.000 φορές γρηγορότερες μνήμες flash το 2013
- Λεπτομέρειες
- Δημοσιεύθηκε : Πέμπτη, 14 Οκτωβρίου 2010 13:46
Aν αναρωτιόσασταν ποιο είναι το επόμενο βήμα στην τεχνολογία των κινητών συσκευών, την απάντηση σας την έχουν οι εταιρίες Elpida και Sharp. Με έδρα την Ιαπωνία, ανακοίνωσαν ότι δουλεύουν σε νέα τσιπ μνήμης που είναι 10.000 φορές γρηγορότερα από τα κλασικά NAND flash chips που έχουμε σήμερα.
Με την ονομασία ReRAM (Resistive Random Access Memory) το project αυτό έχει στόχο να εμφανιστεί στην αγορά το 2013. Βοηθοί των δυο εταιριών είναι και το Πανεπιστήμιο του Τόκιο καθώς και το National Institute of Advanced Industrial Science and Technology της Ιαπωνίας. Ακόμα δεν υπάρχουν περισσότερα στοιχεία για το πως επιτυγχάνονται τέτοιες ταχύτητες.