10.000 φορές γρηγορότερες μνήμες flash το 2013

View Comments

Aν αναρωτιόσασταν ποιο είναι το επόμενο βήμα στην τεχνολογία των κινητών συσκευών, την απάντηση σας την έχουν οι εταιρίες Elpida και Sharp. Με έδρα την Ιαπωνία, ανακοίνωσαν ότι δουλεύουν σε νέα τσιπ μνήμης που είναι 10.000 φορές γρηγορότερα από τα κλασικά NAND flash chips που έχουμε σήμερα.

Με την ονομασία ReRAM (Resistive Random Access Memory) το project αυτό έχει στόχο να εμφανιστεί στην αγορά το 2013. Βοηθοί των δυο εταιριών είναι και το Πανεπιστήμιο του Τόκιο καθώς και το National Institute of Advanced Industrial Science and Technology της Ιαπωνίας. Ακόμα δεν υπάρχουν περισσότερα στοιχεία για το πως επιτυγχάνονται τέτοιες ταχύτητες.

Σύμφωνα με αναφορές πάντως, η κατανάλωση θα είναι σχεδόν 0 όταν δε θα χρησιμοποιείται η μνήμη. Η επιστήμη κάνει γοργά βήματα από ότι φαίνεται και τα αποτελέσματα θα τα δούμε λίαν συντόμως. Βέβαια το κόστος μιας τέτοιας τεχνολογίας θα είναι στην αρχή τουλάχιστον απαγορευτικό.

Αναμένουμε για περισσότερα νέα γύρω από την νέα τεχνολογία.

ΠΗΓΗ: engadget.com

{{like}}

Χιδερίδης Μ. Τάσος
Author: Χιδερίδης Μ. ΤάσοςWebsite: http://www.about.me/chideridis
Administrator

Joomla SEF URLs by Artio